Samsung обявиха разработването на нови S-RAM модули, базирани на 10nm FinFET технологичен процес, което означава още по-малки размери и съответно – по-енергоефектвни смартфони.
Новината всъщност доста ще “раздруса” конкурентите на Samsung. Новият 10nm технологичен процес на компанията не само изпреварва този на TSMC, но и гиганти в областта като INTEL, които отложиха появата на 10nm памет от 2016, за 2017 година.
Новата S-RAM памет на Samsung ще бъде използвана за кеша на процесора и ще бъде с 37.5% по-малка, спрямо тази по 14nm технологичен процес. Освен по-ниската консумация на енергия, очаква се да бъде и с по-добро представяне, което винаги е добре дошло.
Samsung смятат, че ще са готови за масово производство на новите 10nm памети в началото на 2017 година.
Samsung са се заели сериозно с бизнеса с разработването на различни чипове и през месец септември откриха нов щаб в Силиконовата долина, за да дадат нов тласък в научноизследователската и развойна дейност по отношение на полупроводниковия бизнес и дисплеите. На откриването на новата сграда, Oh-Hyun Kwon (заместник председател и CEO на Samsung), отбелязва, че фирмата е положила основите на по-агресивни темпове на разтеж през следващите няколко десетилетия.
