Вчера, Samsung обявиха в своя блог старта на масовото производство на най-напредналата в индустрията 4-гигабитова DDR3 DRAM, базирана на 20-нанометров производствен процес. Новата памет ще бъде достъпна за мобилни устройства и персонални компютри по-късно тази година, но от Samsung не споменават за конкретни продукти.
Samsung заявяват, че новата техника при производството, съчетана със “свръхтънките диелектрични слоеве на клетъчните кондензатори с безпрецедентна еднаквост”, дават забележителни резултати като по-висока производителност на клетките, което ще помогне и при масовото произвоство на следващото поколение 10-нанометровата памет.
Въпросната DRAM памет е с 25% енергийно по-ефикасна от тази, изработена при 25-нанометровия процес. Samsung допълват още, че са подобрили с 30% продуктивността на производството, в сравнение с по-старите модели.
“Новата енергийно ефективна 20 нанометрова DDR3 DRAM памет на Samsung, бързо ще разшири пазарния си база в цялата ИТ индустрия, включително при компютрите и мобилните телефони”, казва Юнг-Хьон Джун, изпълнителен вицепрезидент по продажбите на памет и маркетинг, на Samsung Electronics.
Според проучване на пазара, по данни от Gartner, световния пазар на DRAM памети ще нарасне от 35.6 милиарда долара през 2013 г. до 37.9 милиарда през 2014 година.
