Samsung създават 1GB DDR4 чип с нисък разход на енергия

    При създаването на всеки смартфон, трябва да се намери баланс между мощност и живот на батерията. Благодарение на Samsung, скоро може да видим 4GB RAM в смартфоните, при това без да се жертва живота на батерията.

    Компанията е създала първият 1GB ниско-енергиен DDR4 чип с поддръжка на 3.1Gbps скорост, което е 50% по-бързо от съществуващите DDR3 чипове. Освен това, той изразходва и 40% по-малко енергия. Когато бъдат комбинирани 4 такива чипа, получавате най-голямото количество RAM, което може да се побере в смартфон днес.

    Масовото производство на чиповете ще започне още през 2014-та година и те ще са предназначени главно за ултрабуци, таблети и смартфони от висок клас. Ще позволят безпроблемното внедряване на големи дисплеи с UHD резолюция (4К).