Samsung обявиха, че са разработили 30nm 8Gb (gigabit) OneNAND чип, който да бъде използван в смартфони. Новият чип е базиран на SLC NAND flash дизайн (single-level-cell – клетките са разположени в един слой) и позволява на производителите на телефони да обработват по-голямо количество данни, което се използва при тъчскрийн устройствата и други устройства с висока резолюция.
30nm 8Gb OneNAND е с 40% по-ефикасна от 40nm-базираната OneNAND. При нея скоростта на четене е 70MB/s, което е повече от 4 пъти по-бързо от конвенционалната NAND (17MB/s скорост на четене).
В момента Samsung тества паметта, като се очаква масовото производство да започне в края на този месец.
Източник: http://www.samsunghub.com
“””
